一、KrF光刻胶的现状及未来的走向（论文文献综述）
邓美薇,张季风[1]（2022）在《中日科技合作：演进历程、新挑战与破解路径》文中研究表明长期以来,在中日政府间科技合作机制框架下,双方在产学研联合研究、技术合作、人才交流等方面开展了多方位的合作,促进了中日两国经济的健康发展。通过长期的合作与磨合,中日科技合作形成了完善的合作机制与渠道,具有互补性强、合作领域广泛、潜力巨大、双赢共赢效果突出等基本特点,结出了累累硕果。但是,随着国际政治与大国间博弈的加剧,日本对华科技竞争与防范意识提升已然影响双方高科技领域的合作。鉴于此,中国应立足双方互补性,系牢与日本在前沿与关键科技领域的利益链条,降低日本对华局部"脱钩"的可能性;聚焦双方共同利益,力争在碳中和领域深化中日合作,拓宽科技合作的领域边界。
石俊国,卢章平,刘炳宏[2]（2021）在《创新洼地如何推动创新链与产业链融合——以江苏省集成电路产业为例》文中进行了进一步梳理创新洼地是创新能力长期处于弱势地位的区域。处于创新洼地内的产业通常存在创新链与产业链严重分离的现象。通过产业政策和产业布局,可以在创新洼地实现创新链与产业链对接融合,带动区域脱离创新洼地。相较于广东、北京、上海等地,江苏省的集成电路产业长期处于创新洼地。本文以江苏省集成电路产业为例,识别其创新链与产业链的"缺口"和存在问题,分别从制定产业攻关清单、建设优质实验室、培育集成电路链主企业、围绕新需求布局产业发展四个方面提出政策建议。本文对于其他地区摆脱"技术贫困"具有重要的参考意义。
张硕[3]（2021）在《平板显示用高表面阻抗黑色矩阵光刻胶研究及应用》文中指出
许弘楠[4]（2021）在《面向多维复用的硅基亚波长结构集成光子器件研究》文中提出伴随着微电子技术的快速发展与数据处理需求的爆发性增长,芯片互联与数据中心通信正面临着日益严重的传输带宽瓶颈。基于多维复用的新型光互联技术则通过结合波长、偏振、模式等多个维度,提供了一种可行的解决方案。硅基集成光子器件凭借其紧凑的器件尺寸、极低的工作能耗与成熟的加工工艺,被广泛视作构建基于多维复用光互联系统的最佳平台之一。近年来,包括亚波长光栅、超材料、超光栅在内的硅基亚波长结构逐渐兴起,并被应用于波长、偏振、模式等光子特性的精确调控。本文涉及的主要工作是,通过结合硅基亚波长结构与硅基集成光子学,实现一系列具有低损耗、低串扰、大带宽,并可用于片上、片间及空间多维复用的硅基集成光子器件。我们首先讨论了在硅基集成光子器件的仿真、加工与测试方法,并在此基础上,依次对偏振维度、模式维度、波长维度调控以及空间多维光通信中涉及的几类关键器件进行研究。针对偏振维度调控,我们利用硅基亚波长光栅的各向异性与色散特性,提出三类高性能偏振调控器件,即硅基偏振分束器、硅基起偏器与硅基偏振旋转器。对于硅基偏振分束器,我们提出一种基于亚波长光栅异质结的新颖结构。通过拼接光轴取向正交的亚波长光栅,构造了一种具有显着各向异性的耦合器结构,从而有效地分离了输入的正交偏振态。这一器件可以实现215nm以上的工作带宽。对于硅基起偏器,我们提出一种新颖的亚波长光栅/弯曲波导混合结构。通过结构参数优化,可以使得亚波长光栅对TE、TM偏振态产生显着的等效折射率差,从而有效地增强弯曲损耗的偏振相关性,从而保证输入光中的TM分量被完全滤除。这一器件可以在415 nm以上的光学带宽范围内保证低插入损耗与高偏振消光比。对于硅基偏振旋转器,我们提出一种新颖的亚波长光栅/缺角波导混合结构。我们将传统缺角波导中的缺角部分替换为亚波长光栅,利用亚波长光栅的异常色散特性,消除了偏振转化长度的波长相关性,从而实现了 415 nm以上的超大光学带宽。针对模式维度调控,我们利用亚波长光栅与超材料的折射率调控特性,提出三类高性能多模传输相关器件,即硅基多模波导弯曲结构、硅基多模波导交叉结构与硅基多模波导功分器。对于多模弯曲传输,我们提出一种新颖的渐变折射率模式转换器,将输入的直波导模式完全转化为相应的弯曲波导模式。我们实验验证了半径30μm以下的4模式弯曲传输,实验测得1.5 dB以下的插入损耗与-20 dB以下的模间串扰。对于多模交叉传输,我们提出一种新颖的Maxwell鱼眼透镜结构,并利用其共轭成像特性将任意高阶模式无损地传输至对侧。我们实验验证了基于这一结构的2模式交叉传输,实验测得插入损耗仅为0.28 dB,同时串扰低于-20 dB。对于多模分束传输,我们提出一种新颖的等效介质分束镜结构,通过调控亚波长光栅的等效折射率,将特定比例的入射光反射至输出端口,从而实现低损耗、低串扰的多模分束传输,并且具有415 nm以上的超大光学带宽。针对波长维度调控,我们提出一种基于连续区束缚态的硅基超光栅滤波器。利用波导内部的干涉相消效应,消除Bragg谐振态的横向衍射损耗,从而产生具有高品质因子的准束缚态。我们实验验证了临界波导宽度附近准束缚态的建立过程,并且利用这一机制构造了Q值5000以上、自由光谱范围100 nm以上的窄线宽滤波器。针对空间多维光通信,我们提出一种基于连续区束缚态的硅基超光栅光学天线。利用不同衍射通道之间的干涉相消效应,有效抑制了光栅天线的衍射强度,并实现了平坦的衍射强度光谱。实验测得衍射强度仅为3.3×10-3 dB/μm,对应0.027°以下的超小远场发散角。最后,我们总结了本文中的主要工作,并对未来的研究方向进行了展望。
徐三津[5]（2021）在《一种用于钼酸银纳米线细胞毒性研究的微流控系统的设计》文中指出集成电路及微电子学的发展使得医学电子设备更加微型化和集成化。近年来基于微流控芯片的细胞分析研究逐渐成熟。微流控芯片集成化程度高,在细胞培养、细胞分选和识别、生化分析和癌症医疗药物研究方面有广泛的应用。现阶段,癌症的常规临床治疗手段仍面临疗效低、副作用明显、靶向性差等问题。纳米材料因其独特的光学、机械性能,以及良好的生物相容性和生物可降解性而显示出广阔的癌症诊断与治疗应用前景。钼酸银纳米线在抗菌和抗癌方面都有一定效果,可进一步探究钼酸银纳米线在癌症治疗中的可行性及细胞毒性机理。然而,目前针对纳米材料应用于癌症诊疗的相关研究多是基于群体细胞的研究,忽略了细胞间的异质性,也无法实时监测细胞响应外界刺激的形貌变化及代谢变化。目前的生物芯片种类较少、针对性较差,无法满足在单细胞水平上进行癌症诊疗的科研与临床应用需求。本论文对钼酸银纳米线细胞毒性的选择特异性进行了探索式研究,设计了集成单细胞捕获功能和温度监测功能的微流控系统,并对微流体系统的四个关键要素静电镊单元、微流控通道、热电偶阵列和Si3N4悬空平台分别进行了制备和表征。为了后期在微流控系统中顺利开展单细胞水平的细胞毒性实验研究,我们先明确钼酸银纳米线细胞毒性差异最大的癌症部位及最佳作用浓度。本论文使用钼酸银纳米线对人体胃部和肝部的癌细胞和正常细胞进行在细胞群落层面的细胞毒性研究。该类钼酸银纳米线对胃黏膜细胞的细胞毒性比胃癌细胞大,对胃黏膜细胞在诱导细胞凋亡方面作用更明显,不适用于胃部的癌症治疗研究;对肝癌细胞的细胞毒性比正常肝细胞大,具备选择特异性,并总结出在肝部区域细胞毒性差异明显的最佳作用浓度区间为2.5-12.5μg/ml,为未来在单细胞水平的研究提供基础参考数据。调研了微流控单细胞捕获技术和细胞代谢检测技术的相关应用,利用微电子学和微纳加工工艺,设计了集单细胞捕获功能和温度监测功能于一体的微流控芯片;搭建恒温系统降低单细胞温度测量的热噪声,设计多路选通器和实时测温控制软件,规划不同功能模块;最后设计了利用所设计的微流控系统在单细胞水平上钼酸银纳米线细胞毒性探究的实验方案,为在单细胞层面上研究钼酸银纳米线的细胞毒性的作用机理奠定基础。完成了所设计的微流控系统关键单元的制备与表征。我们制备了具有双环结构、三环结构、双环结构和介电泳有效结合体等多种形态的Ti-Au金属条静电镊单元模块;设计制备了微流体通道并和静电镊单元键合在一起,以完成单细胞捕获功能;完成了由Cr和Pd两种金属组成薄膜热电偶阵列单元的制备,用Si3N4（400nm）-Si（410μm）-Si3N4（400nm）材料腐蚀制备了氮化硅悬空平台,为细胞代谢检测提供了技术支持并降低了芯片与待测物体接触过程中衬底对热量的消耗,可以有效提高测温精度。通过这部分探究了各个工艺的操作流程及芯片制备中的具体参数,为后续集成多功能的微流体芯片提供可靠的工艺步骤和参数,提高器件制备的成功率。本论文基于在单细胞水平上探究钼酸盐纳米线细胞毒性的研究目的,设计了一款集成单细胞捕获功能和温度监测功能的微流控系统,完成了微流控芯片多个功能区的制备。这不仅为在单细胞水平开展钼酸银纳米线细胞毒性的研究奠定基础,促进了癌症治疗技术的发展,也为单细胞捕获和细胞代谢检测提供了新的技术方案,为单细胞分析提供了一种多功能平台。
刘增[6]（2021）在《氧化镓薄膜基日盲光二极管与光晶体管的制备与性能研究》文中研究表明宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）具有4.5-5.2 eV的直接带隙（Energy-Band Gap,Eg）与超过 3 000 的巴利加优值（Baliga’s figure of merit,BFOM）,基本物性可以使其在电磁光谱的日盲紫外区有着强吸收以及在低频直流器件中有低的直流损失。在日盲探测器应用领域,相比于铝镓氮（AlGaN）和镁锌氧（MgZnO）等合金材料而言,Ga2O3有更好的材料稳定性和可控性,且有着低于金刚石（diamond）的材料成本。目前,Ga2O3可以通过磁控溅射（Magnetron Sputtering）、脉冲激光沉积（Puled Laser Deposition,PLD）、分子束外延（Molecular Beam Epitaxy,MBE）、原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）、金属有机化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD）等多种薄膜生长技术制备;其单晶衬底也可以通过简单的熔融法来生长,如浮区法（Floating Zone,FZ）、导模法（Edge Defined Film Fed,EFG）与提拉法（Czochralski,CZ）等。从器件结构角度来说,肖特基光二极管型探测器可以实现更低的噪声（或暗电流）和更高的光响应,光晶体管型探测器的光电流与光暗电流比可以通过栅极电压来加以有效控制,且易于实现大增益强响应的光电性能。故此,本博士论文基于Ga2O3薄膜材料,制备Ga2O3基肖特基二极管与晶体管结构的日盲紫外光电探测器。主要研究成果如下:（1）利用磁控溅射生长技术制备的β-Ga2O3单晶薄膜,借助紫外光刻手段制备β-Ga2O3肖特基势垒光二极管（Schottky Photodiode）,并探究其在日盲探测领域的应用。该器件的暗电流（Idark）为1.32×10-11A,在波长254 nm的紫外光照射下,其光暗电流比（Photo-to-Dark Current Ratio,PDCR）为 2.83×105,光响应度（Responsivity,R）为 144.46 A/W,探测度（Detectivity,D*）为 7.29× 1014 Jones,外量子效率（External Quantum Efficiency,EQE）为64711%。在零偏压下,该器件的及为0.73 mA/W,D*为3.35×1010 Jones,充分地说明该器件可以实现自供电运行。此外,在±180V的高压下,该器件依然展现了稳定的工作状态。（2）基于上一成果,鉴于器件尺寸对器件运行的重要影响,利用MOCVD生长技术制备的β-Ga2O3单晶薄膜制备了具有不同器件尺寸的β-Ga2O3光二极管探测器。它们具有不同的通态电阻,得益于所制备薄膜的良好的均匀性与高质量,所有器件的及为175A/W-1372A/W、EQE为85700%-671500%,D*为～1014Jones。这一器件性能水平优于绝大多数的同类器件水平。结果表明,更小的器件尺寸（更高的通态电阻）导致更高的Idark、Iphoto与R,器件性能对器件尺寸（通态电阻）有着明显且规律的依赖关系。（3）从器件结构设计的角度出发,考虑到金属氧化物半导体（MOS）结构器件中高k绝缘氧化物介质钝化利于遏制反向漏电,利用MOCVD生长技术制备的β-Ga2O3单晶薄膜,首次报导了 Ga2O3基MOS结构的光二极管日盲探测器,其反向漏电相比于金属半导体结构的肖特基光二极管更低,PDCR更高,并类比了 MOS器件与肖特基二极管的光电特性·;且由于在二极管导通与截止端的电子输运分别遵从电子隧穿与热电子发射理论而使器件实现了光电导模式（Photoconductive Mode）与耗尽模式（Depletion Mode）的双工作模式（Dual-Mode）,在零偏压条件下亦可以稳定地自供电运行。（4）鉴于FET中栅压对沟道电流的有效控制,为了获得具有大增益光响应优异的探测器件,利用MOCVD生长技术制备的Si掺杂β-Ga2O3（β-Ga2O3:Si）单晶薄膜,首次制备了 β-Ga2O3基肖特基栅金属半导体场效应晶体管（Schottky-Gated MESFET）日盲紫外探测器。该器件的开启电压（Turn-On Voltage,Von）为4.04 V,低于同类器件的Von,亚阈值摆幅（Subthreshold Swing,SS）为1.4 V/dec。在入射光波长为254 nm、辐照光强为245 μW/cm2时,其PDCR为4.85×104,线性动态范围（Linear Dynamic Region,LDR）为 93.7 dB,R为 74 A/W,D*为2.15×1014 Jones,EQE为3.6×104%。实现了低Von低功耗的增强型MESFET探测器。
金成吉,张苗苗,李开轩,刘宁,玉虓,韩根全[7]（2021）在《后摩尔时代先进CMOS技术》文中指出随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入"后摩尔时代"。论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状及不足之处,分析了随着器件尺寸的减小,工艺技术的发展和其面临的挑战,为后摩尔时代集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点。
吴晓波,张馨月,沈华杰[8]（2021）在《商业模式创新视角下我国半导体产业“突围”之路》文中研究指明当前国际竞争格局严峻,我国半导体产业面临着前所未有的挑战。如何突破"卡脖子技术"成为各界专家讨论的焦点。然而,全球半导体产业的演化在遵循技术发展规律的同时,更与其商业模式创新紧密相关。可以说,没有商业模式创新就没有"摩尔定律"。在先发优势极其明显的半导体产业中,单纯就技术视角来谈半导体产业的"技术突围"只能受囿于已有技术范式,受制于人。首先,从台积电和三星两家企业通过"商业模式创新"克服后发劣势打破"天花板"的典型案例出发,本文分析提出了"分工体系重构"与"需求错位"两条商业模式创新路径。然后,通过对芯恩集成电路有限公司和长光精密仪器集团有限公司两个案例的剖析,进一步探究了中国情境下,后发半导体企业通过"创新联合体"和"差异化需求"克服后发劣势的两条商业模式创新路径。在此基础上,结合当下国际竞争格局与新冠疫情带来的影响,本文从技术（旧范式/新范式）、市场（全球化/逆全球化）情境和企业所采用的不同商业模式创新（原创/二次）,总结提出了八种后发半导体企业的突破路径,并进行了相应资源、能力和策略的分析和讨论,以期对我国半导体产业的"突围"之路有所启示。
赵娜[9]（2020）在《徐州B&C公司员工关系管理优化研究》文中指出伴随近年来我国社会经济体系的改革,各行各业的管理环境与经营环境出现了翻天覆地的转变,以往的员工结构正逐步向着知识型人才与创新型人才的方向不断发展,人才优势转变为了企业在竞争中的核心要素。对于人才资源的关系管理是企业挽留人才,充分发挥人才优势的主要途径。现阶段,企业与员工间并不仅仅是原有的冲突型劳资关系,二者之间的关系逐渐向以合作共赢为主的内部关系转变,其中以个性化与差异化尤为突出。然而,当代企业在管理中显现出的员工关系管理方面的不足与问题逐渐增多,例如劳资纠纷不断上演、日常工作中沟通不畅、员工工作主观能动性低下等。这说明随着现代管理的不断进步和更替,员工关系管理在企业管理中越来越重要。人力资源管理中发展相对最晚的是员工关系管理,其内涵及功能模块的完善仍有待大力推进,然而它对于企业管理的重要性不断增大。徐州博康信息化学品有限公司在企业的发展过程中,—直拥有着良好的工作氛围,同事也很好相处。但在长期的发展过程中,企业员工关系管理出现了—些问题,随着企业的不断发展,企业的核心竞争力也在不断提高,此时解决员工关系管理问题也成为企业管理的核心问题。本文主要针对该企业在员工关系管理中出现的问题,围绕企业发展的主题背景,在通过前期调研以及后期调查的基础上,本研究针对公司的员工分别从劳动关系管理、员工人际关系管理、员工关系管理培训、沟通管理、服务与支持、企业文化建设、沟通管理等7个方面进行访谈法以及问卷调查法,并运用SPSS25.0进行描述性统计分析、各变量之间的探索性因子分析、以及差异性分析,并根据数据分析的结果得出了 B&C公司的员工关系存在的问题有管理者与员工之间的信任程度较低、公司员工内部沟通存在障碍、人才管理中缺乏合理选拔分配制度、企业文化建设与实际需求不匹配等问题,并且根据这些问题分析其原因提出了应该深入基层员工调查,并构建反馈渠道、充实与规范人力资源部门、增进上下级、同事间互动并且完善企业文化建设等相对应的管理优化策略,为行业中相似企业在治理员工关系管理时提供借鉴意见。在解决问题阶段本文创新性地引入关键关系指标对员工关系进行考核,将主观性较强,较为抽象化的员工关系具体化,梳理出在实践中可述的指标,通过对指标的分析、考核、完善,不断发现问题,解决问题,将员工关系管理变成—个动态的,能实时与公司发展现状和发展战略相匹配的管理模式,达到员工关系日常监控的目的,有针对性,有预见性的对员工关系进行优化。这样的研究方法较易复制,不同的公司仅需根据自身实际对考核指标略做修改即可应用于本公司,因此给其他技术型企业供了新的员工关系管理思路。虽然现有研究主要侧重于劳动密集型产业或高体力劳动行业,对于—些技术领域研究相对较少,存在—定研究空白,已有的研究结论普遍适用性和实践指导性较弱,没有形成便于应用的研究模式,企业运用现有研究结果指导实际工作时较为困难,综上所述员工关系管理研究还有—定可探索的空间,对企业管理也有—定实践指导意义。
柴昭尔[10]（2020）在《Ⅲ-Ⅴ族半导体卷曲三维结构及相关典型器件的创新研究》文中进行了进一步梳理近年来,三维组装技术及其所制备出的三维立体结构、三维器件都倍受关注,展现出了十分重要的应用价值。器件维度由传统二维提升到三维后,器件的占用面积变小,使得器件的集成密度大幅攀升,有望为微电子芯片、人工智能芯片、光电子集成芯片、数据中心、光互联芯片等的发展注入持久的动力。而且,三维结构具有比较丰富的空间构型,可以直接承载功能材料与结构,或与多种材料高效复合成新颖结构,在大幅提升器件性能的同时,还可带来诸多新奇的效应和功能,有望为器件设计带来更大的自由度。作为三维组装技术的一种,自卷曲技术是指通过应力驱动将二维平面结构转变成卷曲三维结构。其三维组装原理简单,且与平面工艺兼容,制备步骤少,制备工艺的可控性/稳定性/重复性好,卷曲材料的选择范围宽,引入功能材料非常容易且手段多样,在研制高集成度、高性能、阵列化的光电子器件方面极具优势。为此,本论文利用Ⅲ-Ⅴ族半导体微纳自卷曲工艺实现卷曲三维结构的高质量可控组装,进而通过融合特定的功能材料与功能结构,系统且深入地开展卷曲三维激光器和光探测器的前沿创新研究。论文主要工作及成果如下:1、在GaAs基单层InAs量子点微米管外延结构中引入AlGaAs上下限制层,从而将自组织生长的单层InAs量子点嵌入在GaAs/AlGaAs量子阱的GaAs阱层中,借助AlGaAs限制层有效限制了光生载流子逃逸,显着提高了量子点的光致发光效率。继而,采用U型撕裂方式制得管径为～7.1μm的悬空自卷曲微米管,并利用共聚焦微区光荧光系统观测到了量子点在1.1 μm波段发光的回音壁模式,品质因子达到1200,证明成功实现了Ⅲ-Ⅴ族单层量子点卷曲管状微腔,且与已报道的采用双层量子点的卷曲管状微腔方案明显不同。这部分工作为后续实现量子点微米管的室温光泵激射奠定了坚实的基础。2、分别从基底与量子点有源区两个方面入手,进一步开展卷曲量子点管状微腔的创新研究。（2.1）采用溶液辅助的衬底对衬底转移方法,将GaAs基非悬空InAs量子点微米管由GaAs衬底转移至带有300 nm SiO2层的Si衬底上,成功制备出Si基1.3 μm量子点管状微腔。SiO2层的低折射率,大大减少了之前GaAs衬底对于量子点管状微腔的损耗,从而能在Si衬底上室温测到双层量子点（BQD）在1.3 μm波段光致发光的回音壁模式,品质因子可达1100。这部分工作有望为今后研制Si基微纳光源提供一定的帮助。（2.2）受Ⅲ-Ⅴ族半导体自组织量子点管状光学微腔的启发,首次提出将化学合成的胶体量子点嵌入到自卷曲微米管管壁中的方案,用于制备新型卷曲管状光学微腔并申请发明专利。该方案不仅可以克服目前自组织生长量子点无法覆盖可见光波段的缺点,还能克服胶体量子点分散在自卷曲微米管内壁表面而没有被完全包覆住,使得量子点的发光性能会受空气影响而劣化以及胶体量子点发光与微米管的之间耦合效率低的缺点。3、在Ⅲ-Ⅴ族单层量子点卷曲管状微腔实现的基础上,提出了镀金抬高自卷曲微米管的新颖方案,进一步加大了单层量子点微米管与GaAs衬底之间的距离,简单有效地降低了衬底对微腔的泄漏损耗,从而实现了Ⅲ-Ⅴ族单层量子点管状微腔的室温光泵激射,也就是利用“AlGaAs限制层和镀金抬高微米管”方案研制出了Ⅲ-Ⅴ族量子点微米管光泵激光器,阈值低至4μW。4、将Ⅲ-Ⅴ族InGaAs/GaAs自卷曲微米管与石墨烯材料有机融合在一起,制备出了新型管状三维复合功能结构,进而为后续研制新型三维光电器件铺平了道路。（4.1）实现了还原氧化石墨烯（RGO）与InGaAs/GaAs微米管的有机融合,形成了卷曲三维光电器件必需的InGaAs/GaAs/RGO三维异质结。具体地,我们在InGaAs/GaAs台面上涂覆一层氧化石墨烯（GO）,经退火将GO还原成RGO,接着选择性侧蚀AlAs牺牲层使得RGO与InGaAs/GaAs应变双层共同自卷曲,最终形成InGaAs/GaAs/RGO复合微米管。我们借助Raman表征手段研究了不同卷曲状态与RGO特征峰之间的对应关系,深入了解了InGaAs/GaAs/RGO复合薄膜的自卷曲行为。（4.2）提出了一种将CVD石墨烯与带有孔洞的自卷曲微米管有机融合的方案,并完成了实验验证。通过将CVD石墨烯覆盖在带有孔洞的InGaAs/GaAs台面上且孔洞贯穿InGaAs/GaAs应变双层,再触发自卷曲形成卷曲三维功能化结构,在微流控、细胞培养等前沿领域具有重要的应用前景。此外,自卷曲微米管上的孔洞,让覆盖在上面的卷曲石墨烯获得了双面悬空的效果,能消除衬底对于石墨烯器件性能的影响,为未来石墨烯器件提升性能、引入新功能提供了思路。5、在实验室前期已制备出石墨稀/Ⅲ-Ⅴ族半导体卷曲三维异质结的基础上,首次提出了微管式三维异质结光电探测器及完整器件结构与工艺,成功完成了原型器件制备、测试与功能验证,后续有望研制出具有自驱动、全向探测能力的高性能三维探测器。具体地,我们将石墨烯/Ⅲ-Ⅴ族半导体卷曲三维异质结的可控制备与前述镀金抬高微米管方案紧密结合,利用“2个边缘电极+1个中间电极”方案,巧妙且有效地解决了卷曲三维异质结与金属电极之间形成良好电接触的难题。暗场电流-电压（Ⅰ-V）测试曲线已展示出明显的整流现象,且零伏偏压下的时间-电流（Ⅰ-T）曲线显示,入射光～264 μW下,器件的暗电流为8×10-12A,光电流为1.6×10-7A,器件的开关比为2×104,表明器件具有明显的光伏效应。
二、KrF光刻胶的现状及未来的走向（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、KrF光刻胶的现状及未来的走向（论文提纲范文）
（1）中日科技合作：演进历程、新挑战与破解路径（论文提纲范文）
| 一、中日科技合作的演进历程与基本特点 |
| (一)中日科技合作的演进历程 |
| 1.第一阶段：民间交流期(1950—1971年) |
| 2.第二阶段：官民并举启动期(1972—1980年) |
| 3.第三阶段：全方位合作期(1981—2009年) |
| 4.第四阶段：调整期(2010—2019年) |
| (二)中日科技合作的基本特点 |
| 1.科技合作机制不断完善、合作渠道丰富 |
| 2.科技合作互补性强 |
| 3.科技合作领域不断扩展 |
| 4.科技合作双赢效果显着 |
| 二、中日科技合作的新变化与新挑战 |
| (一)美国拉拢日本对华“科技围堵” |
| (二)日本升级对华科技竞争与防范举措 |
| (三)值得关注的日美对华科技战略联动新动向 |
| 三、破解难题的路径分析 |
| (一)立足双方互补性，降低日本对华局部“脱钩”可能性 |
| (二)聚焦共同利益，强化碳中和领域的中日科技合作 |
| 结 语 |
（2）创新洼地如何推动创新链与产业链融合——以江苏省集成电路产业为例（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1 江苏省集成电路现状及存在问题 |
| 1.1 用于高端集成电路制造的关键材料严重依赖进口 |
| 1.2 集成电路设备过度依赖进口，关键技术受制于人 |
| 1.3 未形成世界一流的链主企业，双链融合缺少引领者 |
| 1.4 第三代半导体研发处于初始阶段，创新动能不足，产业升级面临新挑战 |
| 2 江苏省集成电路产业创新链与产业链融合的政策建议 |
| 2.1 制定集成电路产业攻关清单 |
| 2.2 建设和升级一批分工明确的优质实验室，增强科技攻关能力 |
| 2.3 倾力培育世界一流的集成电路链主企业 |
| 2.4 围绕第三代半导体技术扶持相关企业创新产品 |
| 3 结论 |
（4）面向多维复用的硅基亚波长结构集成光子器件研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩写和符号清单 |
| 1 绪论 |
| 1.1 硅基集成光子学概述 |
| 1.2 光互联中的多维复用 |
| 1.2.1 波分复用技术概述 |
| 1.2.2 偏振复用技术概述 |
| 1.2.3 模式复用技术概述 |
| 1.2.4 空间多维光通信技术概述 |
| 1.3 硅基亚波长结构集成光子器件的产生与发展 |
| 1.4 本文内容和创新点 |
| 2 硅基纳米波导与硅基亚波长结构的特性分析与数值仿真方法 |
| 2.1 硅基纳米波导的特性分析 |
| 2.1.1 基于有限差分频域方法的模式特性分析 |
| 2.1.2 基于有限差分时域方法的传输特性分析 |
| 2.2 硅基亚波长结构的特性分析 |
| 2.2.1 基于等效介质理论的折射率特性分析 |
| 2.2.2 基于平面波展开方法的能带特性分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 硅基集成光子器件的制作与测试 |
| 3.1 硅基集成光子器件的制作流程 |
| 3.2 基于光栅耦合器的垂直耦合测试系统 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 基于各向异性调控与色散调控的硅基偏振维度相关器件 |
| 4.1 基于亚波长光栅异质结的超宽带硅基偏振分束器 |
| 4.1.1 超宽带硅基偏振分束器设计 |
| 4.1.2 器件制作与性能测试 |
| 4.1.3 各类硅基偏振分束器的性能对比 |
| 4.2 基于亚波长光栅/弯曲波导混合结构的超宽带硅基起偏器 |
| 4.2.1 超宽带硅基起偏器设计 |
| 4.2.2 器件制作与性能测试 |
| 4.2.3 各类硅基起偏器的性能对比 |
| 4.3 基于亚波长光栅/缺角波导混合结构的超宽带硅基偏振旋转器 |
| 4.3.1 超宽带硅基偏振旋转器设计 |
| 4.3.2 各类硅基偏振旋转器的性能对比 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 基于等效介质折射率调控的硅基模式维度相关器件 |
| 5.1 基于浙变折射率模式转换器的硅基多模波导弯曲结构 |
| 5.1.1 多模弯曲传输中的模间串扰问题 |
| 5.1.2 硅基多模波导弯曲结构设计 |
| 5.1.3 低串扰弯曲结构连接的4通道模式复用系统测试 |
| 5.1.4 各类硅基多模波导弯曲结构的性能对比 |
| 5.2 基于Maxwell鱼眼透镜的硅基多模波导交叉结构 |
| 5.2.1 多模交叉传输中的模式相关损耗问题 |
| 5.2.2 硅基多模波导交叉结构设计 |
| 5.2.3 低损耗交叉结构连接的2通道模式复用系统测试 |
| 5.2.4 各类硅基多模波导交叉结构的性能对比 |
| 5.3 基于等效介质薄膜分束镜的硅基多模波导功分器 |
| 5.3.1 多模分束传输中的模间串扰问题 |
| 5.3.2 硅基多模波导功分器设计 |
| 5.3.3 各类硅基多模波导功分器的性能对比 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 基于连续区束缚态的硅基超光栅 |
| 6.1 连续区束缚态简介 |
| 6.2 面向波长维度调控的硅基超光栅滤波器 |
| 6.2.1 硅基超光栅滤波器设计 |
| 6.2.2 器件制作与性能测试 |
| 6.2.3 各类硅基光学滤波器的性能对比 |
| 6.3 面向空间多维光通信的硅基超光栅光学天线 |
| 6.3.1 硅基超光栅光学天线设计 |
| 6.3.2 器件制作与性能测试 |
| 6.3.3 各类硅基光栅天线的性能对比 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 作者在学期间取得的科研成果 |
（5）一种用于钼酸银纳米线细胞毒性研究的微流控系统的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 纳米线在癌细胞诊疗中的应用和发展 |
| 1.1.1 纳米线在癌症诊疗的应用研究现状 |
| 1.1.2 新型钼酸银纳米线在癌症治疗研究方面的发展 |
| 1.2 基于微流控系统的癌细胞诊疗分析技术 |
| 1.3 研究内容 |
| 1.4 章节安排 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 微流控器件的制备与表征设备 |
| 2.1.1 器件制备设备 |
| 2.1.2 器件表征设备 |
| 2.2 钼酸银纳米线的制备工艺 |
| 2.3 细胞培养 |
| 2.3.1 细胞正常培养方式 |
| 2.3.2 各种细胞生长特性 |
| 2.4 细胞生存状态的表征技术 |
| 2.4.1 流式细胞技术分析 |
| 2.4.2 显微形貌观察 |
| 第3章 钼酸银纳米线细胞毒性的选择特异性研究 |
| 3.1 钼酸银纳米线对胃癌细胞及胃黏膜细胞的细胞毒性研究 |
| 3.1.1 显微镜下初步实验结果 |
| 3.1.2 流式分析结果 |
| 3.1.3 钼酸银纳米线对胃部细胞毒副作用小结 |
| 3.2 钼酸银纳米线对肝癌细胞及肝细胞的细胞毒性研究 |
| 3.2.1 显微镜下初步实验结果 |
| 3.2.2 流式分析结果 |
| 3.2.3 钼酸银纳米线对肝部细胞毒副作用小结 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 集成单细胞捕获与细胞代谢监测功能的微流控系统的设计 |
| 4.1 单细胞捕获微流技术和细胞代谢评估技术的研究进展 |
| 4.1.1 捕获单细胞的微流控技术简介 |
| 4.1.2 细胞代谢评估技术简介 |
| 4.2 集成单细胞捕获功能和温度监测功能的微流体芯片的设计 |
| 4.3 微流控芯片信息控制系统的设计 |
| 4.3.1 静电镊控制信号的编辑与输入 |
| 4.3.2 热电偶阵列温度信号的采集与处理 |
| 4.4 单细胞水平上钼酸银纳米线细胞毒性探究的实验方案 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 微流控芯片的制备与表征 |
| 5.1 静电镊功能区的制备和表征 |
| 5.1.1 功能芯片制备 |
| 5.1.2 微流控通道制备 |
| 5.1.3 静电镊芯片与微流通道的键合 |
| 5.2 热电偶功能区的制备与表征 |
| 5.2.1 热电偶阵列制备 |
| 5.2.2 氮化硅平台制备 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（6）氧化镓薄膜基日盲光二极管与光晶体管的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 氧化镓材料特性及其在日盲探测中的应用 |
| 1.2.2 氧化镓光二极管 |
| 1.2.3 氧化镓光晶体管 |
| 1.3 本论文的研究内容与结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验方法与理论基础 |
| 2.1 实验方法 |
| 2.1.1 薄膜制备技术 |
| 2.1.2 材料表征 |
| 2.1.3 器件制备与测试 |
| 2.2 理论基础 |
| 2.2.1 响应度和量子效率 |
| 2.2.2 光暗电流比 |
| 2.2.3 响应时间 |
| 2.2.4 信噪比、噪音等效功率和探测度 |
| 参考文献 |
| 第三章 氧化镓日盲肖特基光二极管 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 薄膜生长与器件制备 |
| 3.3 性能分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 器件尺寸对氧化镓日盲肖特基光二极管性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 薄膜生长与器件制备 |
| 4.3 性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 氧化镓MOS结构光二极管 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 薄膜制备与器件加工 |
| 5.3 性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 氧化镓肖特基栅控金属半导体场效应光晶体管 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 薄膜生长与器件制备 |
| 6.3 性能分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 附录 |
| 附录1: 缩略词汇 |
| 附录2: 本文中所涉及到的参数 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果、参会及获奖等情况 |
| 期刊论文 |
| 申请的专利 |
| 参加的学术会议与学术活动 |
| 学生工作 |
| 获奖及荣誉称号情况 |
| 参与的科研课题 |
（7）后摩尔时代先进CMOS技术（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 集成电路产业现状 |
| 1.1 集成电路的战略地位 |
| 1.2 集成电路的研发成本与周期 |
| 1.3 集成电路的供需关系 |
| 2 先进技术节点下的器件结构 |
| 2.1 全耗尽绝缘层上硅（FDSOI) |
| 2.2 鳍型场效应晶体管（Fin FET) |
| 2.3 环栅场效应晶体管（GAAFET) |
| 3 先进技术节点下工艺的发展与挑战 |
| 3.1 覆盖和光刻 |
| 3.2 产品集成 |
| 3.3 涨落特性控制 |
| 3.4 设计工艺协同优化 |
| 4 结论 |
（8）商业模式创新视角下我国半导体产业“突围”之路（论文提纲范文）
| 一、引言 |
| 二、相关理论 |
| （一）商业模式创新 |
| （二）商业模式创新与技术创新的关系 |
| （三）商业模式创新对于后发企业的意义 |
| 三、研究方法 |
| （一）案例研究设计 |
| （二）案例选择 |
| （三）数据收集与三角验证 |
| （四）数据分析 |
| 四、全球半导体产业的商业模式特征 |
| （一）全球半导体产业的两次生态革命 |
| （二）全球半导体产业的商业分工模式演变 |
| 1. 集成器件制造（Integrated Device Manufacture,IDM）模式 |
| 2. 无工厂芯片供应商（Fabless）模式 |
| 3. 代工厂（Foundry）模式 |
| 五、案例分析与发现：台积电与三星 |
| （一）台积电的商业模式创新 |
| （二）三星的商业模式创新 |
| 六、案例分析与发现：芯恩与长光 |
| （一）中国情境下“分工体系重构”的实现途径——“创新联合体” |
| （二）中国情境下“需求错位”的实现途径——“差异化需求” |
| 七、推演与展望 |
| 八、小结 |
（9）徐州B&C公司员工关系管理优化研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 研究方法 |
| 1.3 研究内容与研究框架 |
| 1.4 研究创新点 |
| 2 相关理论基础与文献综述 |
| 2.1 概念界定 |
| 2.2 相关理论基础 |
| 2.3 文献综述 |
| 3 B&C公司员工关系管理的现状与问题 |
| 3.1 B&C公司概况 |
| 3.2 B&C公司员工关系管理现状访谈与问卷调查 |
| 3.3 问卷调查与分析 |
| 3.4 B&C员工关系管理中存在问题 |
| 4 B&C员工关系管理存在问题的原因分析 |
| 4.1 基于公司层面原因 |
| 4.2 基于员工层面原因 |
| 5 B&C公司员工关系管理优化策略 |
| 5.1 加强员工与管理者之间的关系 |
| 5.2 完善企业内部人才管理机制 |
| 5.3 提升企业文化建设 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 研究结论 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 该企业员工满意度访谈问题 |
| 附录2 员工关系管理调查问卷 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（10）Ⅲ-Ⅴ族半导体卷曲三维结构及相关典型器件的创新研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 卷曲三维结构用于光电子领域 |
| 1.2.2 卷曲三维结构用于传感领域 |
| 1.2.3 卷曲三维结构用于生物医学领域 |
| 1.2.4 卷曲三维结构用于能量存储 |
| 1.2.5 卷曲三维结构用于构建新型结构 |
| 1.3 论文的结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 卷曲三维结构及器件的相关实验技术 |
| 2.1 外延生长设备 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积 |
| 2.1.2 分子束外延 |
| 2.2 后工艺设备 |
| 2.2.1 光刻机 |
| 2.2.2 恒温槽 |
| 2.2.3 磁控溅射 |
| 2.2.4 等离子体增强化学气相沉积 |
| 2.2.5 氧等离子体去胶机 |
| 2.2.6 快速热退火 |
| 2.3 性能表征 |
| 2.3.1 结构性能表征 |
| 2.3.2 光学性能表征 |
| 2.3.3 电学性能表征 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 卷曲三维回音壁微腔及光源的研究 |
| 3.1 卷曲三维结构的制备与分析 |
| 3.1.1 形成机理 |
| 3.1.2 制备方式 |
| 3.1.3 重要参数——晶向、直径 |
| 3.2 卷曲三维回音壁微腔研究 |
| 3.2.1 卷曲三维回音壁微腔的制备 |
| 3.2.2 卷曲三维回音壁微腔光学模式的分析 |
| 3.2.3 卷曲三维回音壁微腔光学模式的调控 |
| 3.3 卷曲三维光泵激光器研究 |
| 3.4 波长及基底拓展研究 |
| 3.5 与胶体量子点结合的新型卷曲回音壁微腔研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 卷曲三维结构融合功能材料的复合结构研究 |
| 4.1 与还原氧化石墨烯的有机结合 |
| 4.2 与CVD石墨烯有机结合的新型功能结构 |
| 4.3 在卷曲三维结构中引入叉指电极 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 卷曲三维半导体/石墨烯异质结探测器的研究 |
| 5.1 卷曲三维半导体/石墨烯异质结探测器的方案设计 |
| 5.1.1 原理简介 |
| 5.1.2 重要参数 |
| 5.1.3 方案介绍 |
| 5.2 卷曲三维半导体/石墨烯异质结探测器的实验验证 |
| 5.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 附录 缩略词汇 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及专利 |
四、KrF光刻胶的现状及未来的走向（论文参考文献）
- [1]中日科技合作：演进历程、新挑战与破解路径[J]. 邓美薇,张季风. 现代日本经济, 2022(01)
- [2]创新洼地如何推动创新链与产业链融合——以江苏省集成电路产业为例[J]. 石俊国,卢章平,刘炳宏. 中国发展, 2021(06)
- [3]平板显示用高表面阻抗黑色矩阵光刻胶研究及应用[D]. 张硕. 北京化工大学, 2021
- [4]面向多维复用的硅基亚波长结构集成光子器件研究[D]. 许弘楠. 浙江大学, 2021(01)
- [5]一种用于钼酸银纳米线细胞毒性研究的微流控系统的设计[D]. 徐三津. 山东大学, 2021(12)
- [6]氧化镓薄膜基日盲光二极管与光晶体管的制备与性能研究[D]. 刘增. 北京邮电大学, 2021(01)
- [7]后摩尔时代先进CMOS技术[J]. 金成吉,张苗苗,李开轩,刘宁,玉虓,韩根全. 微纳电子与智能制造, 2021(01)
- [8]商业模式创新视角下我国半导体产业“突围”之路[J]. 吴晓波,张馨月,沈华杰. 管理世界, 2021(03)
- [9]徐州B&C公司员工关系管理优化研究[D]. 赵娜. 中国矿业大学, 2020(08)
- [10]Ⅲ-Ⅴ族半导体卷曲三维结构及相关典型器件的创新研究[D]. 柴昭尔. 北京邮电大学, 2020(04)