一、覆铜板技术(9)（论文文献综述）
韦朝龙[1]（2021）在《化学镀制备自剥离超薄铜箔与石墨烯/铜复合箔的机理及应用研究》文中研究指明铜箔是电子信息和能源行业的基础材料,由于其优异的导电性、高导热性、耐高温性和理想的粘合性能,被广泛用于集成电路、电子元件、能量存储设备和航空航天设备。另一方面,石墨烯由于其优异的强度及导电导热性能而成为超薄复合铜箔的理想强化相。然而,现有制备工艺难以制备出兼具超薄特性与良好性能的铜箔及石墨烯/铜复合箔。针对现有超薄铜箔及石墨烯/铜复合箔的制备问题,本文使用改性壳聚糖作为中间层,通过化学镀工艺制备了自剥离超薄铜箔及超薄石墨烯/铜复合箔。主要研究内容如下:1.通过化学镀工艺制备出厚度可控且可自动剥离的超薄铜箔（ELD铜箔）。ELD铜箔最薄厚度为746 nm,在不进行任何额外热处理的情况下,ELD铜箔的电阻率约为2.11μΩ·cm。ELD铜箔具有285.2 MPa的抗拉强度以及0.42 GPa的硬度。对ELD铜箔进行180度弯折测试并且对其弯折后的电阻率进行测量发现ELD铜箔可承受99次180度弯折,弯折后电阻仅增大0.9%;而商业电镀铜箔仅可承受17次180度弯折,弯折后电阻增大4.1%。2.研究了ELD铜箔作为锂离子电池的集流体的性能。研究发现,ELD铜箔与锂电池负极材料具有优异的界面结合强度。采用ELD铜箔集流体的电池具有比商业铜箔集流体电池更好的循环性能和倍率性能。此外,厚度为746 nm ELD铜箔的面密度仅为0.65 mg cm-2,使用ELD铜箔作为集流体可以使电池的质量比容量和能量密度分别提高429.6%和484.1%。3.通过化学镀工艺制备出厚度可控且可自动剥离的超薄石墨烯/铜复合箔。研究发现,当改性石墨烯的添加量为30 mg/L时所制备的石墨烯/铜复合箔具有最佳的性能。复合箔具有为1.1μm的厚度,抗拉强度为338.7 MPa,导热系数为431.2 W/m K。与纯铜箔相比,复合箔的耐弯曲次数和弹性模量分别提高了298.1%和737.3%。此外,石墨烯/铜复合箔具有比纯铜箔更优异的散热性能,是理想的热管理材料。
李浩霖[2]（2021）在《印制电路内层铜面低粗糙度锡/硅烷处理技术及其应用研究》文中提出印制电路板是电子产品信号传输的基础承载体。在通信领域,高频信号传输的趋肤效应对第五代移动通信技术的信号完整性提出了挑战。控制印制电路板内层表面的表面粗糙度是控制多层印制电路板层间结合力的技术手段之一。粗糙表面有利于层间结合力提升,但在趋肤效应的影响下粗糙的表面不利于印制电路上的高频信号传输。因此,研究适用于高频信号传输的印制电路内层铜面处理技术是目前行业关注的热点之一。这对于新一代电子产品的开发具有重要的应用价值。目前,棕化是印制电路板制造中内层铜面处理的主流技术,但该技术对铜表面存在腐蚀,粗糙度不可控,不利于提升高频信号传递的信号完整性。本文针对内层铜面的表面处理技术,以获得更优秀的层间结合力和更轻微的表面粗糙度为目标进行研究。在现有铜表面处理技术的基础上,将空气等离子体表面改性与棕化技术结合,采用单因素实验确定了等离子体对铜表面的改性能力,并在随后使用正交实验法对其与棕化技术结合的效果进行了研究,得到了针对FR-4材料的最优等离子体/棕化表面处理方法。此外,本文还将硅烷薄膜引入到现有棕化层的表面,形成了一种棕化/硅烷的复合中间层。该中间层可以让HVLP铜箔与M4和M6G材料之间的层间结合力相较于只进行棕化处理分别提升57.5%和90.6%。本文还研究了锡/硅烷复合改性方法用于处理印制电路内层铜面。该方法因其通过化学手段在铜表面获得中间锡/硅烷层,缓解了铜面腐蚀问题的特性而成为下一代铜面处理技术的有力竞选者。其处理过程:镀锡→表面活化→涂覆硅烷偶联剂。优化获得了镀锡/硅烷处理液的最佳配方和处理条件。基于优化的最佳配方和处理条件结合自主开发的孔金属化镀铜装置制作出六层高频测试板。该测试板的3D显微镜、拉力测试仪、插损测试等结果表明,采用锡/KH550处理的内层铜面粗糙度Ra=0.91μm、Rsar为133.1%,低于棕化的0.95μm、135.2%。层间结合力达到了0.772N/mm,高于棕化处理的0.672N/mm。在20GHz的环境下,锡/KH550处理的测试板的插入损耗为-103.95d B/m,低于棕化处理的-106.4d B/m。对工业生产中常见的几种高频/高速材料与锡/KH550表面处理技术的兼容性进行了测试,其层间结合力均大于0.7N/mm。该方法获得的中间层能够与这几种常见的高频/高速材料形成稳定的结合,具有优秀的未来应用前景。
刘承飞,刘俊场,施哲,杨坤[3]（2020）在《废电路板母板粉碎料热解研究》文中提出针对三种废电路板母板粉碎料（边框料、锡板、覆铜板）进行了热分解研究,确定了其整个热解过程的失重机制。结果表明,边框料、锡板、覆铜板的热解均分为三个阶段:热解失重前段、热解失重阶段、热解失重后段。锡板和覆铜板有机组分接近,在～300℃开始失重,在～400℃最快失重阶段完成,失重为热解失重,活化能分别为23.30和12.46kJ/mol;边框料由两种或两种以上性质不同的树脂组成,在305℃才开始失重,有两个最快失重阶段,305～325℃和325～385℃,热解失重活化能为25.92kJ/mol。经450℃热解后,三种物料热解产物中Cu富集增加8个百分点左右。得到了废电路板母板粉碎料在不同热解反应阶段下的反应动力学方程。
李玖娟[4]（2020）在《有机物表面金属点构造及其诱导沉积导电图形的研究》文中提出在人们对电子信息产品性能需求急剧增加的情况下,电子信息产品向高度集成、多功能、小尺寸和高可靠性方向不断发展。而这些需求都需要依赖印制电路板实现,从而推动印制电路板的设计和制造也要向更高互连密度的方向发展。因此,本文在有机物表面构造金属点作为绝缘基板金属化的种子层,通过化学镀或直接电镀技术在种子层上形成导电图形,该金属图形具有优良导电性能、厚度均匀且与基板结合牢固,可应用于印制电路板高可靠性电子线路制作,为高密度互连印制电路板制造提出一种新的途径,在实际生产应用中取得较好效果。传统化学镀铜工艺使用贵金属作为种子层,从而造成生产成本高。而且该过程中贵金属只是吸附于基板表面,因此沉积铜层与基板易分离。为了解决这些问题,提出一种由铜离子和环氧树脂组成的新型复合溶液。通过硼氢化钠溶液处理复合溶液的固化物,将这种复合溶液中的铜离子还原为铜单质,使其作为绝缘基板上的种子层,诱导绝缘基板形成导电图形。由于溶液中有环氧树脂的存在,与绝缘的环氧树脂基板之间具有良好的兼容性,提高了图形与基板之间的结合力,因此形成的铜镀层与基板之间具有良好的结合力,不易发生铜层的脱落,保证导电图形的可靠性。另外经过多种测试分析了乙酰丙酮铜与环氧树脂形成的复合物材料的化学和物理特性,并结合微观形貌观察,确定含40%乙酰丙酮铜的复合溶液在经过处理后,形成的化学镀铜层效果最佳,对应沉积铜速率为19.4μm/h。这种方法能应用于PCBs实际制造中。但在传统化学镀中使用大量甲醛作为还原剂和消耗大量乙二胺四乙酸作为络合剂使得环境污染严重,且这种方法沉积铜速率缓慢,因此提出导电聚合物作为绝缘基板的非金属种子层直接电沉积铜形成导电图形,代替化学镀铜技术。首先通过简单的化学氧化聚合方法在一端含有压延铜的环氧基板表面形成一层导电聚噻吩,然后直接将基板放入哈林槽中进行电镀,最终在导电聚合物上形成性能优良的导电铜层。该方法的电沉积铜速率快,能达到71.4μm/h,且形成的铜层与基板之间结合力良好,为PCBs制造提供了一种快速、高效的新方法。在聚噻吩作为种子层诱导环氧基板直接电沉积金属铜实验中发现聚噻吩直接电沉积铜技术不能用于完全绝缘的基板上,故此引入合成简单,成本低并且在强酸性电镀铜溶液中不易溶解的纳米镍颗粒作为金属核,将其涂覆在聚噻吩表面,然后进行电镀铜,最终在绝缘基板上形成了导电铜层。这种方法形成的铜层致密,表面光亮,不易与基板脱落,且对应的沉积铜速率为14.55μm/h。另外通过扫描电镜、能谱分析以及元素分布等测试进一步研究了纳米镍颗粒在具有聚噻吩的绝缘基板直接电镀过程中的作用,为其他金属纳米颗粒在绝缘基板的导电聚合物直接电镀中的应用提供参考。纳米镍颗粒的引入不仅使绝缘基板上的聚噻吩能直接电镀,而且还增加了聚噻吩的导电性,从而能有效地提高聚噻吩表面形成铜层的速率,因此将其应用于高厚径比通孔的金属化和微小盲孔的填充。通过不同尺寸通孔的金属化,由通孔深镀能力的对比,证实纳米镍颗粒在通孔金属化过程中能增加孔内的镀铜层,提高了通孔的深镀能力。并且通过热冲击实验证明了有纳米镍颗粒情况下形成的孔内镀铜层与基板有较强的结合力,不会在热胀冷缩的情况下发生铜层脱落。除此之外,纳米镍颗粒分散在盲孔孔壁的聚噻吩表面也能在电镀时提高盲孔填充率。这项研究能应用于通孔和盲孔的金属化,实现孔径小、孔密度高的印制电路板制备要求,以形成高密度互连结构。为了防止涂敷的纳米金属与聚合物之间发生分离从而阻碍聚噻吩直接电镀的进行,本文提出了一种在绝缘基板表面形成含金属的聚噻吩复合导电膜的方法,此时电阻最小为1.28 kΩ。该方法的关键在于使用了高锰酸钾和氯化铜的酸性混合溶液作为混合氧化试剂,使其对基板进行氧化处理,能在基板表面形成一层含有二氧化锰和铜离子的氧化层。二氧化锰能在单体溶液中促进聚噻吩快速形成,同时铜离子能为铜单质的形成提供铜源。另外,通过电化学中的线性扫描测试,验证了含铜的导电聚噻吩复合膜具有良好的电化学活性,能在电镀铜液中发生电沉积铜反应。除此之外,还探究了含铜的导电聚噻吩复合膜作为一种新颖的种子层在电镀铜反应中的一些特性,证实镀液中铜离子与添加剂含量以及初始电压对含铜的导电聚噻吩复合膜电镀时的沉积铜速率都有影响。另外,这种复合物膜也能在纺织物上形成电镀图形,而且导电的纺织物拉伸至50%时,仍然保持导电性,这为柔性和可穿戴电子元器件的制造提供了一种方法。
何立发,文伟峰,朱贵娥,查红平,郭达文[5]（2019）在《5G通讯对移动通讯终端用电路板技术的新挑战》文中研究说明5G商用的到来对移动通讯终端用电路板技术提出了新的挑战。文章论述了5G时代移动通讯终端用电路板的高密度、高频高速、高发热等主要特点,对电路板介质材料、铜箔的选择以及电路板的设计提出了建议,并分析了制造技术的新要求和改进方向。
钟智彦[6]（2019）在《面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究》文中研究指明高密度柔性集成电路封装基板（FICS）广泛应用于具有小型化、轻量化、可移动等特性的电子产品中。由于FICS的制作过程十分复杂,所以其任何一道工艺出现不良产品都会对后续生产造成极大的损失。这种高密度柔性IC封装基板的线宽/线距细至10um以下制程,所以必须借助显微镜才能完成采集,此时相比于不需借助显微镜的传统缺陷检测方法其检测难度更大。随着芯片制造工艺的发展,其线宽/线距将进一步降低,进一步增加了基板检测的难度。当使用显微成像采集FICS图像时,基板的纹理结构和缺陷同时被放大,此时的纹理结构与某些缺陷比较类似,例如氧化缺陷等。由于现有方法很容易把基板的纹理结构误判为缺陷,所以迫切需要开发新的缺陷检测方法以满足自动化工业生产。基于上述需求,针对显微成像FICS缺陷图像自动检测的关键技术难题展开了科学研究。本研究的主要研究内容和创新点包括以下四个方面:（1）针对显微成像基板图存在多种未知工业噪声的问题,提出了基于拓扑映射的加权邻域闭合曲线均值模板。实验结果表明,该模板不仅优于现有滤波器,而且有效去除了显微成像基板图像的噪声。（2）针对低倍显微成像氧化缺陷基板图像检测中传统视觉检测方法极易把黑色背景误判为缺陷且严重依赖标准模板的不足,提出了基于拓扑映射的氧化缺陷检测算法。将该方法应用于噪声图像、增强图像和缺陷图像的检测实验,证实其对FICS的背景纹理和光照不敏感,抗干扰能力强,并且鲁棒性好。（3）针对高倍显微成像的氧化缺陷基板图像中传统视觉检测方法极易把黑色背景和基板纹理结构误判为缺陷并且严重依赖标准模板的不足,提出了基于微分几何工具的氧化缺陷检测算法。该方法通过建立样本拟合模型和缺陷检测模型,实现了氧化缺陷的检测,具有快速、实时的特点。相同环境下,只需对拟合样本进行单次建模,即可实现基板缺陷的快速检测,既减少了检测时间,又能更好地满足工业检测的实时性要求。（4）针对显微成像油墨异物基板图像中,图像对比度低并且传统的视觉检测方法极易把黑色背景和贴膜背景误判为缺陷的不足,提出了一种基于微分几何工具的缺陷检测算法。该算法先建立基于曲率的样本拟合模型,再提出基于图像灰度值分析的分段线性函数以提高图像的对比度,最后建立基于概率的缺陷检测模型。相同环境下,可以将样本拟合模型和分段线性函数的相关参数直接应用于后续的待测图像中,提高了缺陷检测的整体效率。实际应用表明,该算法不仅精度高,而且满足柔性基板快速生产的工业实时性要求。本研究获得的成果,不仅实现了上述四种算法的工程应用设计而且验证了其效果。大量实验数据表明,论文所提出的高速、高精度的缺陷检测方法,很好地满足了柔性IC基板快速生产的工业实时性要求。
张风菊[7]（2019）在《一种大功率LED封装高散热基板结构》文中提出LED照明与传统光源相比,具有体积小、使用寿命长、绿色环保等优点,成为目前最具有发展前景的光源。然而随着LED功率密度不断提高,散热成为制约大功率LED器件发展的主要技术瓶颈。若热量不能及时散发出去,将对LED的使用寿命、光通量、出光效率等性能造成严重影响。本文针对大功率LED照明器件的散热技术进行了研究,发现封装基板中的绝缘层是限制LED芯片散热的主要原因。针对LED散热困难,本文提出了一种大功率LED封装高散热基板结构。主要研究内容如下:（1）对LED散热通道进行了优化设计,让芯片产生的热量不通过导热性能差的绝缘层直接散发到周围环境中去,并提出了一种高散热基板的设计方案。与传统基板相比,少了一层高热阻绝缘层,芯片的热量可以更快的散发出去,同时也实现了导电通道和导热通道相分离。（2）金属基板选择复合板（铜、铝）而不是单一的金属材料,不仅可以提高散热性能,而且改进了基板与灯珠、散热器的传统连接方式,用焊接的方式代替传统用螺栓、聚合物粘结剂的连接方式,进一步优化了热量散发的路径。（3）通过ANSYS热仿真,对比传统基板和高散热基板的导热性能。当对1/4颗LED进行热仿真时,高散热基板封装结构的热阻比传统散热基板的热阻降低了 72.67%。当对多颗LED进行热仿真时,热阻降低了 17.4%。
姚丽丽[8]（2018）在《PCB线路选择性激光镀蚀工艺的实验研究》文中提出伴随着计算机、自动化及电子科学技术的高速发展,作为电子产品之母的PCB也朝着高集成化、精细化和微小型化发展,同时,PCB的产量随之不断快速增长,PCB的品种及门类不断增加,生产周期不断缩短。特别是随着智能机器人、自动控制系统的快速增长、各种门类的电子仪器及部件的快速开发,对PCB的快速生产及柔性制造产生了新的需求。随着与半导体、计算机、核能并称为二十世纪四大发明的激光技术的发展,激光技术在PCB生产中的应用越来越广,应用的门类越来越多,成为PCB制备的新技术,逐渐受到大众关注。本文针对PCB制备减成法技术及激光应用技术进行激光选择性刻蚀实验研究。选用涂层及表面黑化的方式对覆铜板进行表面处理来提高对激光的吸收率,对比不同黑化涂层材料处理过的覆铜板激光刻蚀效果,找出最适合覆铜板表面黑化处理涂层材料为光致阻焊剂。对涂覆不同颜色光致阻焊剂的覆铜板进行紫外可见近红外光谱分析,观察吸收率随波长的变化情况,针对不同波长激光选择不同颜色光致阻焊剂。分析结果表明在波长为1064 nm处蓝色光致阻焊剂最适合作为表面黑化涂层。采用NaClO2与NaOH混合液对覆铜板表面进行黑氧化处理也可增加其对激光的吸收率,通过正交实验优化出最佳黑氧化配方及工艺,并对经最佳工艺制备的黑氧化膜进行SEM、XRD分析以及激光刻蚀验证等实验,结果表明所采用的黑氧化工艺可有效提高PCB基板铜箔对激光的吸收率,改善PCB的蚀刻质量。本文针对PCB制备加成法技术及激光应用技术进行激光选择性化学镀实验研究。采用445 nm激光照射涂有ACD/BCD胶体的玻纤环氧树脂基板,还原出纳米银粒子并嵌入基板中作为活化中心催化化学镀铜。探究激光参数对光刻形貌以及镀铜层形貌的影响。通过SEM、AFM考察激光还原纳米银的形貌以及粒径;XRD对光刻区进行成分分析,结果表明光刻区有Ag的存在并用EDS分析了光刻后Ag的分布情况。最后对镀铜线进行粗糙度、结合力以及导电性综合测试分析。在大量的摸索实验的基础上,采用正交实验对激光镀活化液配方、感光膜制备工艺及显影工艺进行了优化实验,最后优化出激光镀活化液配方、感光膜制备工艺及显影工艺。结果表明成功地制备出结合力强、导电性良好的铜导线。
石慧[9]（2016）在《苏北五市危险废物处理处置现状及一体化管理体系研究》文中提出随着社会经济的迅速发展,城市化、工业化的进程不断加快,人民生活水平的不断提高,我国的固体废物的产量也在急剧增加,尤其是危险废物的产量增长势头迅猛。目前,在危险废物的收集、运输和利用处置过程中,由于管理不善,对大气、水、土壤等造成了污染,这不仅仅是对有限自然资源的一种严重的浪费,也对人民群众生产、生活造成不可忽视的危害。苏北五市国土面积占江苏省52%,人口超过40%,与苏南、苏中相比,经济相对欠发达,但追赶经济发展的冲动却毫不逊色,经济持续高速发展和城市化进程的不断加速,使得本来就很脆弱的环境更是不堪重负。最近几年发生多起危险废物非法转移、倾倒污染环境事件造成了一些生态破坏、环境污染、人员中毒、经济损失等事件,严重危害了人民群众的身心健康。本文首先对苏北五市的经济发展水平及其在江苏全省的占比进行分析,结果表明苏北五市经济总量仅为全省的22%左右,人均收入为苏南人均水平的43%,属于江苏经济落后地区,五市中徐州市的经济发展水平高于其他四个市,盐城市略低于徐州市。从各个市危险废物产生单位排污申报的数量及行业分布情况来看除了徐州市其他四个市危废产生企业数量最多的行业都是化工行业,以盐城和连云港两市最多。另外徐州市和盐城市的汽车零售及机械制造行业危险废物产生单位也很具有代表性。危废产生企业数量较多的行业也凸显出各地的产业定位及产废种类,以及龙头企业,如盐城市的悦达起亚汽车生产企业,以及配套的汽车零部件及配件制造行业、连云港的医药、硅产业集群。从整个江苏省近5年的危险废物产生及利用情况来在2011年至2015年这段时间内,我省13个市的危险废物产生情况,苏北各市危险废物产生量的占比,江苏省危险废物产生量较大的地区分别为苏州市、无锡市和南京市,上述三市2015年危险废物产生量占全省的62.6%,同比2014年下降了 5.9%,2011～2014年产生量之和占全省比例分别为78.5%、73.2%、71.7%和68.5%。苏北五市危险废物产生量较大的地区分别为连云港市、淮安市和宿迁市,上述三市2015年危险废物产生量占苏北五市总量的79.8%,同比2014年上升了 5.4%,2011～2014年产生量之和占苏北总量比例分别为41.3%、47.6%、66.0%和74.4%。按苏南、苏中、苏北区域划分,苏北地区危险废物焚烧处置能力为57334吨/年。所全省占比重仅为22%,危险废物填埋处置能力为20000吨/年。所占全省比重仅为14%。徐州市、淮安市、盐城市、连云港市、宿迁市危险废物处理处置能力分别为88450吨/年、83550吨/年、351500吨/年、183890吨/年、114900吨/年。综上,通过分析2010年至2015年苏北五市近六年的危险废物产生、利用、贮存情况及危险废物处置利用单位地理分布情况,基本摸清苏北五市各市现有的危险废物的处置能力,处置技术。其次,针对当前苏北地区危险废物处置、管理过程中存在的问题,借鉴西方发达国家的一些成功经验,进行了认真分析,提出苏北五市需树立可持续发展和循环经济的资源化管理思路,建立区域一体化的危险废物交换平台,并需要建立政府引导配置的在市场经济主导下的满足地方经济发展的危险废物处置能力。对于如何建立一体化管理体系,主要从三个方面着手:一是确立区域危险废物管理的总体规划;二是健全地区危险废物管理的法律法规体系和监督管理机构;三是提升危险废物管理信息化水平,建立危险废物交换平台。
蒋永祥[10]（2016）在《无源RFID传感器整流天线的设计与研究》文中研究指明物联网技术的发展,离不开智能化的接入终端。能够自我持续供电的无源射频识别传感器标签,除了能够标识物体外,还能自主进行感应、计算和数据通信。供电问题严重制约了射频识别传感器标签发挥其应用潜力。基于无线能量传输的整流天线技术有效地解决了无源射频识别传感器标签的供电难题。本文利用电路仿真软件Agilent ADS和电磁仿真软件Ansoft HFSS,对工作于2.45GHz的无源RFID传感器的整流天线进行了设计与研究。设计的整流天线包括接收天线和整流电路两大部分。接收天线采用具有双向辐射特性和宽频特性的微带环形缝隙天线。通过在天线的环形缝隙边缘开槽,引入微扰,实现了天线的圆极化辐射特性。通过在天线的环形缝隙中心开孔,达到了抑制天线谐波和缩减天线尺寸的目的。设计的接收天线单向最大增益1.9d B,天线谐振带宽（VSWR<2）为17.6%,圆极化带宽（AR<3d B）达到3.1%。整流电路采用二倍压整流电路来提高输出电压。利用一种有效的阻抗匹配方法,同时采用具有宽带特性的微带渐变线匹配结构,整流电路实现了与接收天线的良好阻抗匹配。在0d Bm的输入功率时,整流电路能达到35%的整流效率和0.5V的直流输出电压。在16d Bm的输入功率时,整流效率达到58%,直流输出电压达到4V。最后,本文利用感光蚀刻法对设计的整流天线进行了加工,并对其进行了测试和分析。
二、覆铜板技术(9)（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、覆铜板技术(9)（论文提纲范文）
（1）化学镀制备自剥离超薄铜箔与石墨烯/铜复合箔的机理及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 超薄铜箔 |
| 1.1.1 铜箔的简介及发展趋势 |
| 1.1.2 超薄铜箔的研究现状 |
| 1.1.3 锂离子电池用铜箔集流体的研究现状 |
| 1.2 石墨烯/铜复合箔 |
| 1.2.1 石墨烯/铜复合箔的研究意义 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 |
| 1.2.3 石墨烯/铜复合箔的研究现状 |
| 1.3 化学镀铜技术 |
| 1.3.1 化学镀铜的发展 |
| 1.3.2 化学镀铜的机理 |
| 1.4 选题的依据及研究内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验试剂及设备 |
| 2.2 分析测试方法 |
| 第3章 超薄铜箔的制备及在锂电池上的应用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 壳聚糖层及活化基板的组织与成分分析 |
| 3.3.2 壳聚糖层的降解机理 |
| 3.3.3 超薄铜箔的形貌表征及结构特点 |
| 3.3.4 超薄铜箔的机械性能和物理性能 |
| 3.3.5 超薄铜箔的界面性能 |
| 3.3.6 超薄铜箔集流体的电池性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 超薄石墨烯/铜复合箔的制备及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 GO的结构分析 |
| 4.3.2 NCG的组织及结构分析 |
| 4.3.3 壳聚糖醋酸溶液的静置时间对实验的影响 |
| 4.3.4 NCG添加量对石墨烯/铜复合箔的影响 |
| 4.3.5 石墨烯/铜复合箔的TEM分析 |
| 4.3.6 石墨烯/铜复合箔的机械和物理性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（2）印制电路内层铜面低粗糙度锡/硅烷处理技术及其应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多层印制电路通信信号传输理论及研究现状 |
| 1.1.1 多层印制电路信号传输理论模型 |
| 1.1.2 信号传输的趋肤效应模型 |
| 1.1.3 介电常数和介质损耗 |
| 1.2 印制电路铜面处理技术 |
| 1.2.1 内层铜面棕化处理技术 |
| 1.2.2 内层铜面锡/硅烷表面处理技术 |
| 1.2.3 等离子体表面处理技术 |
| 1.3 论文选题依据和研究内容 |
| 1.3.1 论文选题依据 |
| 1.3.2 主要研究内容 |
| 第二章 印制电路内层铜面处理方法的改进研究 |
| 2.1 印制电路内层铜面等离子体/棕化表面处理方法 |
| 2.1.1 内层铜面接触角及表面能分析 |
| 2.1.2 时间/功率的单因素实验 |
| 2.1.3 内层铜面粗糙度测试 |
| 2.1.4 内层铜面等离子体/棕化处理正交试验 |
| 2.2 印制电路内层铜面棕化/硅烷膜表面处理方法 |
| 2.2.1 HVLP铜箔结合力测试 |
| 2.2.2 棕化/硅烷膜处理铜面粗糙度变化分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 基于锡/硅烷改性的PCB层间结合力增强技术研究 |
| 3.1 低粗糙度锡/硅烷表面处理实验设计 |
| 3.1.1 实验试剂及仪器 |
| 3.1.2 实验室/试生产结合力测试 |
| 3.1.3 锡层表面厚度测试 |
| 3.1.4 信号仿真模型 |
| 3.2 镀锡/硅烷偶联剂处理流程的筛选 |
| 3.2.1 镀锡处理液及硅烷偶联剂溶液配制 |
| 3.2.2 不同处理流程对结合力的影响 |
| 3.3 镀锡液组分浓度研究 |
| 3.3.1 镀锡液正交实验组 |
| 3.3.2 实验室/试生产样品的层间结合力测试 |
| 3.3.3 实验室/试生产样品的结合力分析 |
| 3.4 表面粗糙度对信号损耗的影响仿真 |
| 3.5 不同硅烷偶联剂处理液的性能研究 |
| 3.5.1 实验设计 |
| 3.5.2 硅烷偶联剂处理液性能对比 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 铜面锡/KH550 表面改性技术应用于PCB的研究 |
| 4.1 六层高频信号测试板设计 |
| 4.2 锡/KH550 改性铜面技术在测试板中的应用研究 |
| 4.2.1 锡/KH550 改性铜面技术配方及条件 |
| 4.2.2 测试表征方法 |
| 4.2.3 孔金属化镀铜装置研究 |
| 4.3 铜表面改性层组成、厚度及粗糙度测试结果及分析 |
| 4.3.1 中间层的成分组成 |
| 4.3.2 中间锡层厚度 |
| 4.3.3 中间层结合力强度 |
| 4.3.4 锡/KH550 及铜表面粗糙度 |
| 4.3.5 铜表面改性处理表面形貌 |
| 4.4 铜表面改性处理层间信号损失 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结果讨论与展望 |
| 5.1 本文结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的成果 |
（3）废电路板母板粉碎料热解研究（论文提纲范文）
| 1 试验原料 |
| 2 试验与设备 |
| 3 结果与分析 |
| 3.1 热分析曲线 |
| 3.2 热解?燃烧过程动力学研究 |
| 3.3 物料热解结果 |
| 4 结论 |
（4）有机物表面金属点构造及其诱导沉积导电图形的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 PCBs制造工艺 |
| 1.2 基于化学镀工艺的基板金属化技术 |
| 1.2.1 化学镀铜原理 |
| 1.2.2 化学镀铜工艺流程 |
| 1.3 基于电镀工艺的基板电沉积技术 |
| 1.3.1 直接电镀技术 |
| 1.3.1.1 钯系列 |
| 1.3.1.2 碳黑系列 |
| 1.3.2 电镀铜工艺 |
| 1.3.3 添加剂对电镀铜层影响 |
| 1.4 导电高分子作为种子层的直接电镀 |
| 1.4.1 导电高分子发展 |
| 1.4.2 导电高分子直接电镀技术发展 |
| 1.4.3 导电高分子直接电镀技术存在问题 |
| 1.5 论文选题依据及研究内容 |
| 第二章 基于环氧树脂/乙酰丙酮铜复合物的基板上铜沉积的研究 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验材料和表征 |
| 2.2.1 实验试剂及仪器 |
| 2.2.2 环氧树脂/乙酰丙酮铜(Ⅱ)复合物的分析测试方法 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.3.1 制备环氧树脂/乙酰丙酮铜(Ⅱ)复合物 |
| 2.3.2 化学镀铜过程 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 EP/Cu(acac)_2 性能表征 |
| 2.4.2 EP/Cu(acac)_2 化学镀铜 |
| 2.4.3 化学镀铜层性能表征 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 导电聚噻吩制备及其直接电沉积铜的应用研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验材料与表征 |
| 3.2.1 化学试剂与实验仪器 |
| 3.2.2 分析测试方法 |
| 3.3 实验过程 |
| 3.3.1 化学聚合方法制备聚噻吩 |
| 3.3.2 电镀具有聚噻吩的环氧基板 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 氧化步骤对聚噻吩合成影响 |
| 3.4.2 聚噻吩性能表征 |
| 3.4.3 具有聚噻吩的环氧基板直接电镀 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 聚噻吩表面涂覆纳米镍颗粒诱导绝缘基板电沉积铜研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验材料与表征 |
| 4.2.1 实验试剂 |
| 4.2.2 实验中分析测试方法 |
| 4.3 实验过程 |
| 4.3.1 绝缘基板上形成聚噻吩 |
| 4.3.2 自制NiNPs |
| 4.3.3 NiNPs涂覆于聚噻吩表面直接电镀 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 自制NiNPs表征 |
| 4.4.2 聚噻吩的FT-IR和 Raman表征 |
| 4.4.3 电镀具有聚噻吩的绝缘基板 |
| 4.4.4 NiNPs诱导聚噻吩表面电沉积铜层表征 |
| 4.4.5 NiNPs诱导聚噻吩直接电镀应用 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 纳米镍与聚噻吩在PCBS介质孔中直接沉积铜的应用研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验材料与表征 |
| 5.2.1 实验试剂 |
| 5.2.2 实验中分析测试方法 |
| 5.3 实验过程 |
| 5.3.1 PCBs上形成聚噻吩 |
| 5.3.2 制备NiNPs |
| 5.3.3 PCBs电镀 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 NiNPs表征 |
| 5.4.2 NiNPs对具有聚噻吩的THs和盲孔直接电镀影响 |
| 5.4.3 NiNPs对具有聚噻吩的环氧基板直接电镀影响 |
| 5.4.4 电镀铜层的性能表征 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 含铜聚噻吩复合物作为种子层的直接电镀铜技术的研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验材料与表征 |
| 6.2.1 实验试剂和仪器 |
| 6.2.2 实验中分析测试方法 |
| 6.3 实验过程 |
| 6.3.1 绝缘基板上形成含铜聚噻吩复合物 |
| 6.3.2 含铜聚噻吩复合物的绝缘基板的电化学性能表征 |
| 6.3.3 影响含铜聚噻吩复合物的绝缘基板电镀的因素 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 6.4.1 形成含铜聚噻吩复合物机理研究 |
| 6.4.2 含铜聚噻吩复合物电镀铜研究 |
| 6.4.3 含铜聚噻吩复合物在纺织物上的电镀应用 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 论文展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）5G通讯对移动通讯终端用电路板技术的新挑战（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 5G时代移动通讯终端用PCB的主要特点 |
| 1.1 高密度 |
| 1.2 高频高速 |
| 1.3 高发热 |
| 2 5G移动通讯终端用PCB技术应对挑战的思路 |
| 2.1 材料的选择 |
| 2.1.1 介质材料 |
| 2.1.2 铜箔 |
| 2.2 电路板的设计 |
| 2.3 制造技术的改进 |
| 3 结语 |
（6）面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 FICS的产业现状及特点 |
| 1.1.2 FICS制造过程常见缺陷 |
| 1.1.3 FICS基板图像特点 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 视觉检测技术 |
| 1.2.2 基板图像的缺陷检测技术 |
| 1.3 显微成像基板图的关键技术难点分析 |
| 1.4 主要研究内容及结构 |
| 1.4.1 主要研究内容 |
| 1.4.2 本文结构 |
| 第二章 显微成像的FICS图像预处理算法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基于拓扑映射的显微成像基板图降噪算法 |
| 2.2.1 算法设计 |
| 2.2.2 实验结果及比较 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 氧化缺陷图像的类型及相应算法 |
| 3.2.1 低倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.2 高倍显微成像的氧化缺陷图像 |
| 3.2.3 不同环境的氧化缺陷检测算法 |
| 3.3 基于低倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.3.1 算法设计 |
| 3.3.2 实验结果及比较 |
| 3.4 基于高倍显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法 |
| 3.4.1 算法设计 |
| 3.4.2 实验结果及比较 |
| 3.5 显微成像的FICS图像氧化缺陷检测算法对比 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 显微成像的FICS图像油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于微分几何工具的油墨异物缺陷检测算法 |
| 4.2.1 算法设计 |
| 4.2.2 实验结果及比较 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 工程应用设计与验证 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 检测仪的主要功能 |
| 5.3 检测仪的软硬件组成 |
| 5.3.1 硬件组成 |
| 5.3.2 软件组成 |
| 5.4 FICS图像算法的工程设计与验证 |
| 5.4.1 显微成像基板图的降噪算法的工程设计与验证 |
| 5.4.2 低倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.3 高倍显微成像基板图的氧化缺陷检测算法工程设计与验证 |
| 5.4.4 显微成像基板图的油墨异物检测算法的工程设计与验证 |
| 5.5 在线检测实例 |
| 5.6 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 1.结论 |
| 2.创新点 |
| 3.展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）一种大功率LED封装高散热基板结构（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 LED器件的发展现状 |
| 1.2.1 LED国内外发展 |
| 1.2.2 LED基板发展与使用 |
| 1.2.3 大功率LED散热方式 |
| 1.3 大功率LED器件面临的问题 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 第2章 大功率LED散热关键技术 |
| 2.1 热学理论 |
| 2.1.1 热传递的基本原理 |
| 2.1.2 热力学定律 |
| 2.1.3 LED热学参数热阻和导热系数 |
| 2.2 LED的发光原理 |
| 2.3 温度对LED性能的影响 |
| 2.4 大功率LED的散热通道分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 大功率LED封装高散热基板设计方案 |
| 3.1 LED基板的改进方案 |
| 3.2 高散热基板的加工工艺 |
| 3.2.1 基板材料的选择 |
| 3.2.2 复合板的生产 |
| 3.2.3 绝缘层和铜箔的辊压工艺及参数测试 |
| 3.2.4 一次铣 |
| 3.2.5 镀铜 |
| 3.2.6 二次铣 |
| 3.2.7 封装LED灯珠 |
| 3.3 散热通道对比 |
| 3.4 LED串联并联驱动的选择 |
| 3.5 大功率LED热阻的测量方法 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 高散热基板ANSYS热仿真验证及对比分析 |
| 4.1 ANSYS简介 |
| 4.2 有限元理论 |
| 4.2.1 有限元基本理论 |
| 4.2.2 有限元分析步骤 |
| 4.3 高散热基板的ANSYS热仿真及分析 |
| 4.3.1 稳态热分析和瞬态热分析 |
| 4.3.2 仿真模型及边界条件 |
| 4.3.3 1/4芯片封装热仿真及分析 |
| 4.3.4 多芯片LED封装热仿真及分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（8）PCB线路选择性激光镀蚀工艺的实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 印制电路板概述 |
| 1.1.1 印制电路板的制造 |
| 1.1.2 印制电路的发展 |
| 1.1.3 激光技术在印制电路板制造中的应用 |
| 1.2 激光刻蚀技术 |
| 1.2.1 激光刻蚀技术原理 |
| 1.2.2 激光刻蚀的国内外研究现状 |
| 1.2.3 表面黑化的国内外研究现状 |
| 1.3 激光镀技术 |
| 1.3.1 聚乙烯吡咯烷酮的作用 |
| 1.3.2 化学镀铜基本原理 |
| 1.3.3 选择性激光诱导化学镀国内外研究现状 |
| 1.4 研究意义及主要内容 |
| 第二章 实验方法及表征 |
| 2.1 实验材料与设备 |
| 2.2 实验方法 |
| 2.2.1 PCB激光刻蚀实验方法 |
| 2.2.2 PCB激光诱导选择性镀铜实验方法 |
| 2.3 性能检测及表征方法 |
| 2.3.1 紫外可见近红外反射光谱 |
| 2.3.2 X射线衍射 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜和能量色散谱 |
| 2.3.4 原子力显微镜 |
| 2.3.5 台阶仪 |
| 第三章 PCB激光蚀刻工艺实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 涂层黑化的实验结果与分析 |
| 3.3.1 光致阻焊剂涂层对PCB基板表面激光吸收率的影响 |
| 3.3.2 不同颜色光致阻焊剂涂层对PCB基板表面激光吸收率的影响 |
| 3.3.3 实验验证 |
| 3.4 表面黑氧化的实验结果与分析 |
| 3.4.1 黑氧化液的选择 |
| 3.4.2 表面黑氧化工艺的优化 |
| 3.4.3 覆铜板表面的SEM分析 |
| 3.4.4 黑氧化膜的X射线衍射分析 |
| 3.4.5 黑氧化膜的吸收光谱分析 |
| 3.4.6 激光刻蚀实验验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 PCB选择性激光镀技术与工艺研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法与步骤 |
| 4.2.1 选择性激光镀工艺过程 |
| 4.2.2 活化液配方实验设计 |
| 4.2.3 感光膜制备工艺实验设计 |
| 4.2.4 显影工艺实验设计 |
| 4.2.5 镀铜液的制备 |
| 4.3 选择性激光镀工艺及配方的实验研究 |
| 4.3.1 活化液配方实验优选 |
| 4.3.2 感光膜制备工艺优选 |
| 4.3.3 显影工艺实验优选 |
| 4.4 光刻层及镀铜层形貌分析 |
| 4.4.1 激光功率对光刻层及镀铜层形貌的影响 |
| 4.4.2 激光扫描频率对光刻层及镀铜层形貌的影响 |
| 4.4.3 激光扫描速度对光刻层及镀铜层形貌的影响 |
| 4.5 显影后光刻层的性能分析 |
| 4.5.1 感光膜的吸收光谱分析 |
| 4.5.2 光刻层的XRD分析 |
| 4.5.3 光刻层的SEM分析 |
| 4.5.4 光刻层的EDS分析 |
| 4.5.5 光刻层的AFM分析 |
| 4.5.6 光刻层的I-V特性分析 |
| 4.6 镀铜层的分析 |
| 4.6.1 镀铜层的EDS分析 |
| 4.6.2 镀铜时间对镀铜形貌的影响 |
| 4.6.3 镀铜时间对镀铜导电性的影响 |
| 4.6.4 镀铜层的断面形貌 |
| 4.6.5 镀铜层结合力测试 |
| 4.6.6 激光功率对镀铜层粗糙度的影响 |
| 4.7 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 特色与创新 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文与参与项目 |
| 致谢 |
（9）苏北五市危险废物处理处置现状及一体化管理体系研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 引言 |
| 1 研究背景与目的 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 选题目的 |
| 2 研究的方法和技术路线 |
| 2.1 拟采取的研究方法 |
| 2.2 拟采取的技术路线 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 危险废物的相关概念 |
| 1.1.1 危险废物定义 |
| 1.1.2 危险废物的来源 |
| 1.1.3 危险废物的主要危害 |
| 1.2 现有危险废物处理处置技术 |
| 1.2.1 预处理及稳定固化技术 |
| 1.2.2 资源化技术 |
| 1.2.3 终端处置技术 |
| 1.3 危险废物的环境监管 |
| 1.3.1 环境监管的目标 |
| 1.3.2 环境管理的内容 |
| 1.3.3 环境管理原则 |
| 1.4 国外危险废物环境管理的现状 |
| 1.4.1 美国的危险废物环境管理现状 |
| 1.4.2 德国的危险废物环境管理现状 |
| 1.4.3 韩国危险废物环境管理现状 |
| 1.5 国内危险废物环境管理现状 |
| 1.5.1 管理依据 |
| 1.5.2 管理机构 |
| 1.5.3 管理原则 |
| 1.6 小结 |
| 第二章 苏北五市危险废物处置现状分析 |
| 2.1 苏北五市经济发展概况 |
| 2.2 近五年危险废物产生情况分析 |
| 2.2.1 近五年江苏省危险废物产生情况 |
| 2.2.2 近五年苏北五市危险废物产生情况 |
| 2.2.3 近五年苏北五市危险废物产生量占全省比例 |
| 2.3 苏北五市危险废物产生企业区域及行业分布情况 |
| 2.4 苏北五市现有危险废物处理处置企业分析 |
| 2.4.1 处置能力占全省比例 |
| 2.4.2 苏北五市主要危险废物处置企业与化工集中区的位置图 |
| 2.4.3 苏北各市危险废物处理处置能力汇总(统计截至时间为2016年1月份) |
| 2.5 产生量与处理处置能力缺口分析 |
| 2.5.1 产生量与处理处置能力对比 |
| 2.5.2 苏北各市处理与处置能力分析 |
| 2.6 小结 |
| 第三章 构建苏北五市危险废物一体化环境管理体系 |
| 3.1 现阶段危险废物环境管理存在问题 |
| 3.1.1 危险废物规范化管理水平不高 |
| 3.1.2 危险废物利用处置能力结构性失衡 |
| 3.1.3 危险废物环境管理制度设计缺失 |
| 3.2 构建苏北五市危险废物一体化管理体系的必要性 |
| 3.2.1 理论依据 |
| 3.2.2 客观条件制约 |
| 3.3 构建苏北五市危险废物一体化管理体系的可行性 |
| 3.3.1 地域优势 |
| 3.3.2 经济发展水平相近 |
| 3.3.3 管理制度试点 |
| 3.4 如何构建苏北五市危险废物一体化管理体系 |
| 3.4.1 确立区域危险废物管理的总体规划 |
| 3.4.2 健全地区危险废物管理的法律法规体系和监督管理机构 |
| 3.4.3 提升危险废物管理信息化水平 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 结论与展望 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
| 致谢 |
（10）无源RFID传感器整流天线的设计与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 无源RFID传感器标签 |
| 1.1.2 无线能量传输技术 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 无源RFID传感器研究现状 |
| 1.2.2 整流天线研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 1.4 本章小结 |
| 2 整流天线相关理论概述 |
| 2.1 整流天线系统 |
| 2.2 天线相关理论与技术 |
| 2.2.1 微带天线相关理论 |
| 2.2.2 圆极化技术 |
| 2.2.3 天线的馈电方式 |
| 2.3 整流电路相关理论与技术 |
| 2.3.1 传输线理论 |
| 2.3.2 二极管整流电路 |
| 2.3.3 阻抗匹配技术 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 接收天线设计 |
| 3.1 微带缝隙天线的设计 |
| 3.2 天线圆极化的实现 |
| 3.3 天线谐波抑制功能的实现 |
| 3.4 具有谐波抑制能力的圆极化接收天线设计 |
| 3.4.1 天线仿真结果 |
| 3.4.2 天线关键设计参数分析 |
| 3.4.3 介质敷层对天线的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 整流电路设计 |
| 4.1 二倍压整流电路设计 |
| 4.1.1 整流二极管的选取 |
| 4.1.2 电容与负载的选取 |
| 4.1.3 匹配网路电路结构选取 |
| 4.2 整流电路仿真与分析 |
| 4.2.1 整流电路原理图仿真 |
| 4.2.2 整流电路原理图与版图联合仿真 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 整流天线的实现与测试 |
| 5.1 整流天线的制作 |
| 5.1.1 整流天线的制作流程 |
| 5.1.2 制作误差分析 |
| 5.2 整流天线的测试与分析 |
| 5.2.1 接收天线测试 |
| 5.2.2 整流电路测试 |
| 5.3 无源RFID传感器供电要求 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 总结 |
| 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 |
四、覆铜板技术(9)（论文参考文献）
- [1]化学镀制备自剥离超薄铜箔与石墨烯/铜复合箔的机理及应用研究[D]. 韦朝龙. 南昌大学, 2021
- [2]印制电路内层铜面低粗糙度锡/硅烷处理技术及其应用研究[D]. 李浩霖. 电子科技大学, 2021
- [3]废电路板母板粉碎料热解研究[J]. 刘承飞,刘俊场,施哲,杨坤. 有色金属(冶炼部分), 2020(10)
- [4]有机物表面金属点构造及其诱导沉积导电图形的研究[D]. 李玖娟. 电子科技大学, 2020(03)
- [5]5G通讯对移动通讯终端用电路板技术的新挑战[J]. 何立发,文伟峰,朱贵娥,查红平,郭达文. 电子元器件与信息技术, 2019(08)
- [6]面向高密度柔性IC封装基板的显微成像检测算法及关键技术研究[D]. 钟智彦. 华南理工大学, 2019(01)
- [7]一种大功率LED封装高散热基板结构[D]. 张风菊. 杭州电子科技大学, 2019(01)
- [8]PCB线路选择性激光镀蚀工艺的实验研究[D]. 姚丽丽. 广东工业大学, 2018(01)
- [9]苏北五市危险废物处理处置现状及一体化管理体系研究[D]. 石慧. 南京农业大学, 2016(05)
- [10]无源RFID传感器整流天线的设计与研究[D]. 蒋永祥. 西南科技大学, 2016(03)